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IXGH10N100	文件：46.1 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N100AU1	文件：121.57 Kbytes Page：6 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Features ●Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinone package ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -soft	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH10N100A	文件：46.1 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N100AU1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTH10N100	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N100	文件：367.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH10N100D	文件：129.03 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel,DepletionMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM10N100	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT10N100D	文件：129.03 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel,DepletionMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MTM10N100E	文件：260.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTV10N100E	文件：269.33 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTV10N100E	文件：285.67 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTV10N100E	文件：297.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTW10N100E	文件：321.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTW10N100E	文件：187.89 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTW10N100E	文件：192.19 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTY10N100E	文件：228.65 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE-FETPowerEieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGH10N100
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，10A
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGH10N100	IXYS/艾賽斯	17+	TO-3P	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGH10N100	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IXGH10N100	IXYS	1822+	TO-3P	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!	詢價
深圳市賽芯源科技有限公司	IXGH10N100	IXYS	18+	TO-3P	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGH10N100	IXYS	18+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時可以發(fā)貨	詢價
深圳市興燦科技有限公司	IXGH10N100	IXYS	24+	TO-247	553		詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGH10N100	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IXGH10N100	IXYS	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXGH10N100	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IXGH10N100	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價

更多IXGH10N100供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:00:00

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