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IXTM21N50L	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：POWER MOSFET TO-3	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FMH21N50ES	文件：555.21 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMR21N50ES	文件：549.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV21N50ES	文件：545.95 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
IXFH21N50	文件：158 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH21N50	文件：562.11 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH21N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH21N50	文件：336.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH21N50F	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs HiPerRFPowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH21N50Q	文件：562.11 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM21N50	文件：305.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM21N50	文件：158 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM21N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT21N50F	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs HiPerRFPowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTH21N50	文件：107.4 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH21N50	文件：380.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH21N50	文件：143.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IXTM21N50	文件：311.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IXTM21N50L
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）
描述：
POWER MOSFET TO-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXTM21N60	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3PL	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IXTM21N60	IXYS	22+	TO-3P	30000	只做原裝	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXTM21N60	IXYS	24+	TO-3PL	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTM24N49	IXYS	24+	TO-3	153		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IXTM24N50	IXYS	05+	原廠原裝	4283	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXTM24N50	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IXTM24N50	IXYS/艾賽斯	專業(yè)鐵帽	TO-3	130	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTM24N50	IXYS	20+	TO-3	35830	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IXTM24N50	IXYS	2023+		80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTM24N50	IXYS	24+		35210	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)

更多IXTM21N50L供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 14:30:00

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