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NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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SGL50N60	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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SGL50N60RUFD	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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SGW50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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