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KSMU1N50	文件：1.65379 Mbytes Page：8 Pages	500V N-CHANNEL MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD1N50	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD1N50E	文件：267.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERE500VOLTSRDS(on)=5.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD1N50E	文件：1.08605 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD1N50E	文件：345.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD1N50E	文件：136.06 Kbytes Page：12 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP1N50	文件：300.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP1N50E	文件：78.28 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelTO??20PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=5.0OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX1N50E	文件：24.87 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionfoPHP1N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RM1N50	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V6Wfullvoltagefilamentlampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：208.82 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V50Wfullvoltagefloodlightsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：214.26 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V10Wfullvoltagebulblampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
SSI1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP1N50A	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP1N50B	文件：629.48 Kbytes Page：8 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP1N50B	文件：279.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSR1N50A	文件：321.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSR1N50A	文件：1.08835 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	KSMU1N60	KERSEMI	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KSMU1N60	KERSEMI	TO-251	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KSMU1N60	KERSEMI	23+	TO-251	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KSMU1N60	KERSEMI	22+	TO-251	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單	詢(xún)價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KSMU1N60	KERSEMI	24+	TO-251	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	KSMU2N60	KERSEMI/科盛美	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	21+	TO-251	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	KSMU2N60	KERSEMI/科盛美	23+	NA/	3749	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票	詢(xún)價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	KSMU2N65		KERSEMI	TO-251	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KSMU4N60C	KERSEMI	23+	TO251	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)

更多KSMU1N50供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 14:30:00

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