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M59DR008E100N6T

8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

DESCRIPTION TheM59DR008isan8Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    M59DR008E100N6T

  • 制造商：

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱：

    STMicroelectronics

  • 功能描述：

    8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST
BGA
93480
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 詢價(jià)
ST/意法
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ST
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ST
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TSOP
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一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
ST
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SOP
5000
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ST
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SOP
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ST
SOP
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6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
ST
23+
SOP
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多M59DR008E100N6T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 17:08:00

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