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NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
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RM50N60DFV	文件：1.51858 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60IP	文件：484.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
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RM50N60TI	文件：424.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures Vds=60Vo=50A Rds(on)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SGL50N60	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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SGL50N60RUFD	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGL50N60RUFDTU	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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更多MLG50N60FUK供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 10:20:00

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