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MRF282Z分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF282Z
廠商型號(hào)

MRF282Z

參數(shù)屬性

MRF282Z 封裝/外殼為NI-200Z;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

功能描述

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

封裝外殼

NI-200Z

文件大小

142.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 20:00:00

MRF282Z規(guī)格書(shū)詳情

The RF Sub–Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (PEP)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 30

Intermodulation Distortion = –30 dBc

? Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (CW)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 40

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? S–Parameter Characterization at High Bias Levels

? Excellent Thermal Stability

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts (CW) Output Power

? Gold Metallization for Improved Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF282ZR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200Z

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200Z

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FREESCALE
23+
NA/
6220
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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06+
SMD
10
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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21+
SMT
3967
全新原裝虧本出
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專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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