MRF282Z分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![MRF282Z](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
MRF282Z |
參數(shù)屬性 | MRF282Z 封裝/外殼為NI-200Z;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z |
功能描述 | LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
封裝外殼 | NI-200Z |
文件大小 |
142.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-13 22:59:00 |
MRF282Z規(guī)格書詳情
The RF Sub–Micron MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.
? Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts (PEP)
Power Gain = 11 dB
Efficiency = 30
Intermodulation Distortion = –30 dBc
? Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts (CW)
Power Gain = 11 dB
Efficiency = 40
? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
? S–Parameter Characterization at High Bias Levels
? Excellent Thermal Stability
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts (CW) Output Power
? Gold Metallization for Improved Reliability
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRF282ZR1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2GHz
- 增益:
11.5dB
- 功率 - 輸出:
10W
- 封裝/外殼:
NI-200Z
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-200Z
- 描述:
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
NA/ |
6220 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
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