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MRF282Z分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF282Z
廠商型號(hào)

MRF282Z

參數(shù)屬性

MRF282Z 封裝/外殼為NI-200Z;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

功能描述

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

封裝外殼

NI-200Z

文件大小

142.3 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 22:59:00

MRF282Z規(guī)格書詳情

The RF Sub–Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (PEP)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 30

Intermodulation Distortion = –30 dBc

? Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (CW)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 40

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? S–Parameter Characterization at High Bias Levels

? Excellent Thermal Stability

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts (CW) Output Power

? Gold Metallization for Improved Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF282ZR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200Z

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200Z

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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