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MRFG35010A

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide PHEMT

3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35010AR1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWiMAX,WLL/MMDSorUMTSdriverandfinalapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPer

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35010AN

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010AR1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010ANT1

Package：PLD-1.5；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFG35010AR1

Package：NI-360HF；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFG35010AR5

Package：NI-360HF；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFG35010N

RFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.ThisdeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. ?TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MRFG35010A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
更多MRFG35010A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 10:20:00

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