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MRFG35010AN

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide PHEMT

3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRFG35010ANR5

Package：NI-360HF；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFG35010ANT1

Package：PLD-1.5；包裝：托盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BIBD35010

MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010FX

MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010FXMT

MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010MT

MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBS35010

MULTI-PORTSingle-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBS35010FX

MULTI-PORTSingle-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBS35010FXMT

MOUNTINGVERSIONMULTI-PORTSingle-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBS35010MT

MOUNTINGVERSIONMULTI-PORTSingle-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

MRFG35010

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDSorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. ?TypicalW?CDMAPerformance:?42dBcACPR,3.55GH

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRFG35010A

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRFG35010N

RFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.ThisdeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. ?TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

T-35010

MiniAudioTransformers

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MRFG35010AN

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRFG35010AN供應商 更新時間2025-1-18 13:26:00

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