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MRFG35010A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRFG35010A
廠商型號(hào)

MRFG35010A

參數(shù)屬性

MRFG35010A 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

490.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 17:37:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFG35010ANT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

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