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MRFG35010ANT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRFG35010ANT1
廠商型號(hào)

MRFG35010ANT1

參數(shù)屬性

MRFG35010ANT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

功能描述

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

1.13431 Mbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFG35010ANT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

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