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MRFG35010NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRFG35010NT1 |
| 參數(shù)屬性 | MRFG35010NT1 封裝/外殼為PLD-1.5；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD |
| 功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
173.43 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-5 22:30:00 |
MRFG35010NT1規(guī)格書(shū)詳情
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.
? Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01 Probability)
Output Power — 900 mW
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 28
? 9 Watts P1dB @ 3.55 GHz
? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRFG35010NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
pHEMT FET
- 頻率：
3.55GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 輸出：
9W
- 封裝/外殼：
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLD-1.5
- 描述：
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020+ |
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80000 |
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21+ |
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原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
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詢價(jià) |
