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NE3512S02-T1C-A 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 RENESAS/瑞薩

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  • 廠家型號:

    NE3512S02-T1C-A

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    RENESAS(瑞薩)/IDT

  • 庫存數(shù)量:

    6000

  • 產(chǎn)品封裝:

    S02

  • 生產(chǎn)批號:

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2025-1-26 8:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號:NE3512S02-T1C-A品牌:RENESAS(瑞薩)/IDT

誠信服務,絕對原裝原盤

  • 芯片型號:

    NE3512S02-T1C-A

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    CEL詳情

  • 廠商全稱:

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.35dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市弘揚芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    林書涵

  • 手機:

    19168708380

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  • 地址:

    深圳市華強北南光捷佳大廈2917