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NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET正納電子一部

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1+
  • 廠家型號：

    NE3512S02-T1D-A

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    Renesas(瑞薩)

  • 庫存數量：

    20094

  • 產品封裝：

    NA

  • 生產批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-16 17:55:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NE3512S02-T1D-A品牌：Renesas(瑞薩)

正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持

  • 芯片型號：

    NE3512S02-T1D-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內容頁數：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

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