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NE434S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NE434S01-T1B |
| 功能描述 | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
77.49 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-11 22:30:00 |
| 人工找貨 | NE434S01-T1B價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE434S01-T1B規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NE434S01 is a Herero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.35 dB TYP., Ga = 15.5 dB TYP. at f = 4 GHz
? Gate Width: Wg = 280 Pm
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE434S01-T1B
- 功能描述：
MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2020+ |
SMT76 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
3585 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT76 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
20+ |
SMT36 |
49000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
californi |
23+ |
NA |
51486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NEC |
21+ |
SO86 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
SO-8 |
12300 |
詢價(jià) | |||
PHILIPS |
00+ |
SMD8 |
386 |
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SO76 |
26000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
SO-8 |
7000 |
絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)! |
詢價(jià) |
