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NE434S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE434S01-T1B |
| 功能描述 | C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET |
| 文件大小 |
42.13 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 23:00:00 |
| 人工找貨 | NE434S01-T1B價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE434S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE434S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
? VERY LOW NOISE FIGURE: 0.35 dB TYP at 4 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN: 15.5 dB TYP at 4 GHz
? GATE WIDTH: 280 μm
? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE434S01-T1B
- 功能描述：
MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
3585 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT76 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT76 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
SO-8 |
12300 |
詢價(jià) | |||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
NEC |
22+ |
MICRO-X |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
20+ |
SMT36 |
49000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2005 |
SO86 |
335 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
SOP |
7780 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NSC |
04+ |
SOP |
1000 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價(jià) |
