NE85634-T1 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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廠家型號：
NE85634-T1
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
CEL
庫存數量：
990000
產品封裝：
SOT89
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-14 14:49:00

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原廠料號：NE85634-T1品牌：CEL

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NE85634-T1是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產封裝SOT89/TO-243AA的NE85634-T1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
NE85634-T1
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
CEL詳情
廠商全稱：
California Eastern Labs
內容頁數：
26 頁
文件大?。?/span>
831.88 kb
資料說明：
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NE85634-T1
制造商：
CEL
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
6.5GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
2W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應商

企業(yè)：
深圳市明嘉萊科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
王先生/劉小姐
手機：
19168723357
詢價：
電話：
19168723354/19168723317
傳真：
0755-83939536
地址：
深圳市福田區(qū)振華路118號華麗大院西座1棟518

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