NE85634-T1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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廠家型號：
NE85634-T1
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
CEL
庫存數(shù)量：
6000
產(chǎn)品封裝：
SOT89
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-11 14:05:00

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詳細信息
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原廠料號：NE85634-T1品牌：CEL

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NE85634-T1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝SOT89/TO-243AA的NE85634-T1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
NE85634-T1
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
CEL詳情
廠商全稱：
California Eastern Labs
內(nèi)容頁數(shù)：
26 頁
文件大?。?/span>
831.88 kb
資料說明：
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NE85634-T1
制造商：
CEL
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
6.5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
2W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應商

企業(yè)：
深圳市芯皇電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
王先生
手機：
18122218584
詢價：
電話：
0755-23603869
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道賽格科技園4棟東座11樓D05

NE85634-T1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NE85634-T1

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