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NP82N10PUF-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP82N10PUFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?LowCiss:Ciss=2900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotivea

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP82N10PUF-E1-AY

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NP82N10PUF-E1-AY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    82A（Tc）

  • 描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS/瑞薩
23+
TO-263
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多NP82N10PUF-E1-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 11:02:00

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