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NXH010P90MNF1PTG_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH010P90MNF1PTG_V01
廠商型號(hào)

NXH010P90MNF1PTG_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 10 mohm SiC M2 MOSFET, 900 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package

文件大小

1.89371 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-19 18:30:00

NXH010P90MNF1PTG_V01規(guī)格書詳情

The NXH010P120MNF1 is a power module containing an

10 m/900 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1

package.

Features

? 10 m/900 V SiC MOSFET Half Bridge

? Thermistor

? Options with Pre?applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre?applied TIM

? Press?fit Pins

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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