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NXH100B120H3Q0STG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH100B120H3Q0STG
廠商型號

NXH100B120H3Q0STG
參數(shù)屬性

NXH100B120H3Q0STG 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
功能描述

Dual Boost Power Module
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
絲印標識

NXH100B120H3Q0STG
封裝外殼

Q0BOOST-Case180AJ / 模塊
文件大小

1.44776 Mbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-10 23:00:00

NXH100B120H3Q0STG規(guī)格書詳情

NXH100B120H3Q0STG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH100B120H3Q0STG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NXH100B120H3Q0STG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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