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PBSS4160DS	文件：154.36 Kbytes Page：14 Pages	60V1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS4160DS	文件：329.95 Kbytes Page：15 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PAN	文件：752.37 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PAN	文件：276.45 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emitt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS4160PANP	文件：368.23 Kbytes Page：21 Pages	60V,1ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emitte	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS4160PANP	文件：337.41 Kbytes Page：21 Pages	60V,1ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpower DFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PANPS	文件：804.95 Kbytes Page：23 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020D-6(SOT1118D)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PANS.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAPS. Features	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PANS	文件：762.59 Kbytes Page：19 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160QA	文件：266.2 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS4160QA	文件：744.15 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5160QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160QA-Q	文件：296.09 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T	文件：111.1 Kbytes Page：10 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprinted-circuitboardarearequired ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS4160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS4160T	文件：466.31 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4160T	文件：852.82 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T-Q	文件：257.81 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducespri	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160U	文件：211.39 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT323(SC-70)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160U. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcol	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS4160U	文件：324.89 Kbytes Page：15 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160V	文件：251.89 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS4160V	文件：166.98 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PBSS4160DPN T/R
功能描述：
兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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