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PD55003分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD55003
廠商型號

PD55003

參數(shù)屬性

PD55003 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

文件大小

309.94 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-23 23:00:00

PD55003規(guī)格書詳情

PD55003屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD55003晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

DESCRIPTION

The PD55003 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55003 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? COMMON SOURCE CONFIGURATION

? POUT = 3 W with 17 dB gain @ 500 MHz / 12.5 V

? NEW RF PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD55003

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    500MHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    2.5A

  • 功率 - 輸出:

    3W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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ST
21+
QFN
5000
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6000
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ST
23+
QFN
4500
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ST
24+
QFN
500000
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QFN
36900
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
10RF-Formed-4
8860
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ST
24+
QFN8
2000
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