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SI4435DY

30V P-Channel PowerTrench MOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SI4435DY

Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

SI4435DY

P-Channel MOSFET

■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI4435DY-HF

P-Channel MOSFET

■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI4435DYPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

SI4435DY-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SI4435DYTRPBF

Ultra Low On-Resistance

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

SI4435DYPBF

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

SI4435DYPBF_15

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

SI4435FDY

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4435DY

  • 功能描述：

    MOSFET 30V SinGLE P-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
24+
8-SOIC
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
N/P
16500
代理授權(quán)直銷,原裝現(xiàn)貨,假一罰十,長期穩(wěn)定供應
 詢價
ON/安森美
23+
NA
6800
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
SOP8
50
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
VISHAY/威世
21+
SOP-8
34000
原裝現(xiàn)貨,一站式配套
 詢價
SI
10+
SOP
1500
現(xiàn)貨或發(fā)貨一天
 詢價
ON/安森美
20+
SOP-8
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
VISHAY/威世
24+
SOP-8
2043
原裝優(yōu)勢公司現(xiàn)貨!
 詢價
onsemi(安森美)
23+
SOP-8
9555
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
IR
24+
SOP-8
500749
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
更多SI4435DY供應商 更新時間2025-2-1 14:14:00

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