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SIHH11N65E	文件：199.25 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHH11N65E_V01	文件：199.25 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N65EF	文件：201.6 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES ?Completelylead(Pb)-freedevice ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHH11N65EF	文件：200.94 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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CEF11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEU11N65S	文件：519.97 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,8A,RDS(ON)=0.42W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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FCPF11N65-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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