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ST-2SB1386U	文件：228.61 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Lowfrequencytransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SB1386	文件：51.74 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1386	文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1386	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：151.05 Kbytes Page：6 Pages	EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1386	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1386	文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1386	文件：396.36 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SB1386	文件：112.23 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsthe2SD2098	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1386	文件：1.55454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1386	文件：192.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Lowcollectorsaturationvoltage, ?Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1386	文件：474.45 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1386	文件：185.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SB1386	文件：1.95535 Mbytes Page：4 Pages	Lowcollectorsaturationvoltage FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
2SB1386	文件：862.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1386	文件：1.7226 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1386	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SB1386-P	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ST-2SB1386U
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全稱：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	ST2SB1424QU	ST	08+	SOT89	1000		詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	ST2SB1424QU	ST	22+	SOT89	28600	只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級(jí)代理	詢價(jià)
深圳市鵬錦翔科技有限公司	ST2SB1424QU	ST	20+	SOT89	25000	全新原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市君億電子科技有限公司	ST2SB1424QU	ST	22+	SOT89	8700	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	ST2SB1424QU	ST	SOT89		6000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市遠(yuǎn)進(jìn)半導(dǎo)體有限公司	ST2SB1424QU	ST	22	SOT89	25000	3月31原裝,微信報(bào)價(jià)	詢價(jià)
海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	ST2SB1424QU	ST	24+	SOT89	1000	只做原裝進(jìn)口!正品支持實(shí)單!	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	ST2SB1424QU	ST		SOT89	699839	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	ST2SB1424QU	ST/意法	22+	SOT89	12000	只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十	詢價(jià)
深圳市辰德隆電子科技有限公司	ST2SB1424QU	ST/意法	23+	SOT89	6000	只有原裝正品,老板發(fā)話合適就出	詢價(jià)

更多ST-2SB1386U供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 15:42:00

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