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STGD18N40LZT4

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD19N40LZ

Marking：GD19N40LZ；Package：DPAK；Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD20N40LZ

Low saturation voltage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD20N45LZAG

Marking：GB20N45LZ；Package：DPAK；Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD3HF60HDT4

4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD3HF60HDT4

4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGD3NB60SD

N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGD3NB60SD_04

N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGD3NB60SDT4

N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGD4M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    STG

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 12 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
TO-247
8795
詢價
STMICROELEC
24+
原封裝
400
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ST
06+
TO-247
2000
原裝
 詢價
ST
21+
TO-247
23480
詢價
ST
24+
TO-247
2500
原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價
ST全系列
25+23+
TO-247
26002
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
ST/意法
23+
TO247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ST
11+
TO-247
500
進口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實單
 詢價
ST
23+
原廠原封
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價
ST/意法
24+
NA/
17131
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
 詢價
更多STG供應商 更新時間2025-4-23 15:12:00

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