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STGW8M120DF3

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP8M120DF3

Trenchgatefield-stop,1200V,8A,low-lossMseriesIGBTinaTO-220package

Features ?10μsofminimumshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=8A ?Tightparameterdistribution ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW8M120DF3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    M

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,8A

  • 開關能量:

    390μJ(開),370μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    20ns/126ns

  • 測試條件:

    600V,8A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多STGW8M120DF3供應商 更新時間2025-1-28 10:12:00