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VNB35N07TR-E	文件：153.65 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNB35N07TR-E	文件：464.56 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNB35N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類(lèi)別：集成電路（IC）配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07	文件：134.79 Kbytes Page：11 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNP35N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07-E	文件：289.5 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07-E	文件：464.56 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET:fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07FI	文件：153.65 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07FI	文件：139.31 Kbytes Page：13 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP35N07TR-E	文件：464.56 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET:fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNV35N07	文件：153.65 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VNB35N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET?, VIPower?
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
開(kāi)關(guān)類(lèi)型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類(lèi)型：
N 通道
接口：
開(kāi)/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
55V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
25A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
28 毫歐（最大）
輸入類(lèi)型：
非反相
特性：
狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過(guò)壓
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VNB35N07TR-E	STMicroelectronics	24+	D2PAK	25717	意法電源管理芯片-原裝正品	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	VNB35N07TR-E	ST	21+	TO-263	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST	23+	TO-263-3	296	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST/意法半導(dǎo)體	22+	D2PAK-3	6001	原裝正品現(xiàn)貨可開(kāi)增值稅發(fā)票	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	VNB35N07TR-E	STM	23+	TO-263-3 (D2PAK)	10	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價(jià)
深圳市宇爍芯半導(dǎo)體科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST(意法)	2023		10000	全新、原裝	詢價(jià)
深圳市富誠(chéng)威科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST/意法	24+	TO-263	30000	原裝優(yōu)勢(shì)公司現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST(意法半導(dǎo)體)	24+	D2PAK	1612	特價(jià)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存質(zhì)量保證穩(wěn)定供貨	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	VNB35N07TR-E	ST(意法)	24+	D2PAK	5486	只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價(jià)格最低!只賣(mài)原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	VNB35N07TR-E	ST(意法半導(dǎo)體)	24+	D2PAK	5768	百分百原裝正品,可原型號(hào)開(kāi)票	詢價(jià)

更多VNB35N07TR-E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-26 14:13:00

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