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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2N7002KE	文件：369.99 Kbytes Page：4 Pages	NChannelMOSFET INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ESDProtected2000V.(HumanBodyModel) ?HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). ?Voltagecontrolledsmallsignalswitch. ?High-speedlinedriver. ?Low-sideloadswitch.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N7002KG	文件：680.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChSmallSignalMOSFETwithGateProtection FEATURES z2kVESDProtection zLowerOn-resistance:2Ω zLowThreshold:2V(Typ.) zLowInputCapacitance:25pF zFastSwitchingPerformance:25nS zLowInputandOutputLeakage APPLICATIONS zDirectLogic-LevelInterface:TTL/CMOS zDrivers:Relays,Solenoi	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002K-HF	文件：129.61 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET RoHSDevice N-Channel HalogenFree Features -SmallSignalMOSFET. -ESDprotected:1000V.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002KL	文件：963.44 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalMOSFET380mAmps,60VoltsN??hannelSOT-23	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002KM	文件：520.77 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Features ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ?Voltagecontrolledsmallsignalswitch ?Ruggedandreliable ?ESDProtectedupto2.5KV(HBM) ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2N7002KM	文件：603.48 Kbytes Page：4 Pages	N-channelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2N7002KM	文件：198.59 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?LowonresistanceRDS(ON) ?Lowgatethresholdvoltage ?Lowinputcapacitance ?ESDprotectedupto2KV	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
2N7002KQ	文件：1.04155 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
2N7002KQ	文件：624.73 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo2kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) The2N7002KQissuitableforautomotiveapplications requirings	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002KQB	文件：281.49 Kbytes Page：15 Pages	60VN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?Sidewettableflanksforoptical	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
2N7002KT	文件：659.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES: Gate-SourceESDProtected:1500V FastSwitchingSpeed LowOn-Resistance LowVoltageDriver APPLICATIONS: Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Displays,Memories BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits Load/PowerSwitchi	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002KT	文件：169.65 Kbytes Page：3 Pages	ChannelEnhancementMOSFET FEATURES ?LowGateChargeforFastSwitching. ?ESDProtectedGate. APPLICATIONS ?PowerManagementLoadSwitch ?ESDProtected:1500V ?Easilydesigneddrivecircuits	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002KT	文件：169.65 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2N7002KT	文件：1.23552 Mbytes Page：3 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMosfets	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002KT	文件：716.72 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?LowonresistanceRDS(ON) ?Lowgatethresholdvoltage ?Lowinputcapacitance ?ESDprotectedupto2KV	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
2N7002KTB	文件：117.39 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω ?RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?VeryLowLeakageCurrentInOffCondition ?SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KTB	文件：158.48 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω ?RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?VeryLowLeakageCurrentInOffCondition ?SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers:R	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KU	文件：689.54 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description Itutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithhighrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinpowerswitchingapplicationandawideva	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
2N7002KU	文件：642.66 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
2N7002KU	文件：56.45 Kbytes Page：4 Pages	NChannelMOSFET	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2N7002KDW-TP	Micro Commercial Co	24+	6-TSSOP,SC-88,SOT-363	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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