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A5G35S004N_V02中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

A5G35S004N_V02
廠商型號(hào)

A5G35S004N_V02

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

文件大小

209.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-24 17:22:00

A5G35S004N_V02規(guī)格書(shū)詳情

This RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 3300 to 4300 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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