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A5G35S004NT6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A5G35S004NT6
廠商型號(hào)

A5G35S004NT6
參數(shù)屬性

A5G35S004NT6 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor
封裝外殼

6-LDFN 裸露焊盤
文件大小

209.47 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-5 17:22:00

A5G35S004NT6規(guī)格書詳情

This RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 3300 to 4300 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A5G35S004NT6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 頻率：

    3.3GHz ~ 4.3GHz

  • 增益：

    16.9dB

  • 功率 - 輸出：

    24.5dBm

  • 封裝/外殼：

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-PDFN（4x4.5）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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