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BLF6G10LS-200R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLF6G10LS-200R |
| 參數(shù)屬性 | BLF6G10LS-200R 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 文件大小 |
98.12 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-2 23:15:00 |
BLF6G10LS-200R規(guī)格書(shū)詳情
General description
200 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz.
Features
■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 869 MHz and 894 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 1400 mA:
◆ Average output power = 40 W
◆ Power gain = 20 dB
◆ Efficiency = 27.5
◆ ACPR = ?40 dBc
■ Easy power control
■ Integrated ESD protection
■ Enhanced ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (800 MHz to 1000 MHz)
■ Internally matched for ease of use
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)
Applications
■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and multi carrier applications in the 800 MHz to 1000 MHz frequency range.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLF6G10LS-200RN,11
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
871.5MHz ~ 891.5MHz
- 增益：
20dB
- 額定電流（安培）：
49A
- 功率 - 輸出：
40W
- 封裝/外殼：
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT502B
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2011 |
SOT502B |
300 |
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詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
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NXP |
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SOT502B |
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詢價(jià) |
