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IDTP9120	文件：1.02876 Mbytes Page：24 Pages	TripleChannelSynchronousStep-DownSwitcherwithIntegratedFET	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDTP9120	文件：1.40939 Mbytes Page：25 Pages	TripleChannelSynchronousStepDownSwitcherwithIntegratedFET Features ?InputVoltageRange:2.7Vto5.5V ?Threestep-downconverterswithintegratedFETs ?Buck1:2A ?Buck2:2A ?Buck3:3A ?Buck3tooperateinBuckorSwitchmode ?FactoryProgrammableOutputVoltage:0.8-3.4V ?AutomaticPFM/PWMorforcedPWMmode ?Switchingfrequency2MHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRF9120	文件：260.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9120	文件：266.98 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFD9120	文件：1.87503 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertiablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombina	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9120	文件：173.72 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-1.0A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion ?En	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9120	文件：52.74 Kbytes Page：6 Pages	1.0A,100V,0.6Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD9120	文件：1.0209 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9120PBF	文件：1.87503 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertiablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombina	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9120PBF	文件：1.0209 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFE9120	文件：138.71 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9120	文件：23.46 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9120	文件：138.57 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9120	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
IRFF9120	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	4A,100V,0.60Ohm,P-ChannelPowerMOSFET 4A,100V,0.60Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringh	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9120	文件：42.42 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9120	文件：94.75 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9120	文件：278.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP9120	文件：314.14 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR/U9120N	文件：3.88766 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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更多ICL9120供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:15:00

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