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IRFI1310G	文件：361.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.04ohm,Id=22A) VDSS=100V RDS(on)=0.04? ID=22A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：104.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=24A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：267 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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