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IRFC450	文件：47.75 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETDIE	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRF International Rectifier	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：163.6 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TablessTO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：166.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：218.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.415ohm,Id=12A) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：185.29 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：90.99 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.33ohm-14A-TO-247PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.33? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRFP450	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP450	文件：55.81 Kbytes Page：7 Pages	14A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP450	文件：46.07 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP450	文件：1.54159 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP450	文件：169.8 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.40ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=14A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP450	文件：410.95 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPowerMESHMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP450	文件：841.38 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL500V-0.33Q-14A-TO-247PowerMESH??MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompanysconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY1process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. .TYPICALRDS(on)=0.33Ω .EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY .100AVALANC	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP450	文件：883.54 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP450	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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深圳市華斯頓科技有限公司	IRF450PBF	IR	22+23+	TO-3P	44679	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IRF450PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 16:43:00

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