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IRF5305STRL

-55VP-ChannelMOSFET

Features *VDS(V)=-55V *ID=-31A(VGS=-10V) *RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRF5305STRLPBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF5305STRPBF

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRF5305STRRPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRFNJ5305

P??HANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRFR5305

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR5305

PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)

IRF

International Rectifier

IRFR5305

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRFR5305

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRFR5305PBF

HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid

IRF

International Rectifier

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更多IRF5305SPBF-VB供應商 更新時間2025-3-1 11:06:00

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