首頁>IRFBE30SPBF>規(guī)格書詳情
IRFBE30SPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFBE30SPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBE30SPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
VISHAY |
15+ |
D2-PAK(TO-263) |
4000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
2600 |
只做原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-263-3 |
5590 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
200 |
詢價 | |||
IRFBE30SPBF |
575 |
575 |
詢價 |
