IRFD120中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFD120 |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
935 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-15 15:36:00 |
| 人工找貨 | IRFD120價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFD120規(guī)格書詳情
FEATURES
? Dynamic dV/dt rating
? Repetitive avalanche rated
? For automatic insertion
? End stackable
? 175 °C operating temperature
? Fast switching
? Ease of paralleling
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable
case style which can be stacked in multiple combinations on
standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal
link to the mounting surface for power dissipation levels up
to 1 W.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFD120
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SOP/DIP |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DIP |
98900 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨!! |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
HEXDIP |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR特價(jià)歡迎訂購 |
DIP-4 |
2000 |
原裝長期供貨! |
詢價(jià) | |||
IOR |
9621+ |
DIP-4 |
12 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONALRECTIFIER |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
IR |
2022+ |
DIP-4 |
8600 |
英瑞芯只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
DIP |
5000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
DIP |
6500 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) |
