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IRFD123PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFD123PBF
廠商型號

IRFD123PBF
功能描述

Power MOSFET
文件大小

1.73655 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 14:30:00
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IRFD123PBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFD123PBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VishayIR
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4-HVMDIP
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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23+
65480
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VISHAY
23+
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Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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原裝進口、正品保障、合作持久
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