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IRFD123PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
IRFD123PBF |
功能描述 | Power MOSFET |
文件大小 |
1.73655 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-16 17:15:00 |
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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRFD123PBF
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
詢價 | |||
VishayIR |
24+ |
4-DIP |
2956 |
詢價 | |||
VISHAY(威世) |
23+ |
HVMDIP-4 |
9555 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
IR-VISHAY |
23+ |
DIP4 |
19291 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIP |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
I |
22+ |
TO-252 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
2112+ |
HVMDIP-4 |
115000 |
2500個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
Vishay |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
2005 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |