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IRFD220中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFD220
廠商型號(hào)

IRFD220

功能描述

Power MOSFET

文件大小

994.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-9 23:00:00

IRFD220規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? For automatic insertion

? End stackable

? Fast switching

? Ease of paralleling

? Simple drive requirements

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up

to 1 W.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD220

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
333
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
IR
2020+
DIP-4
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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HARRIS(哈利斯)
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DIP4
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誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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只做原裝只有原裝深圳現(xiàn)貨
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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DIP-4P
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