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IRFI840G	文件：122.02 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(-55V,0.1ohm,-14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840G	文件：169.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=4.6A) IRF1840G->CorrectPartumberIRFI840G 1.IsolatedPackage 2.HighVoltageIsolation=2.5VKRMS 3.SinktoLeadCreepageDist=4.8mm 4.LowThermalResistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840G	文件：2.81499 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s,f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840G	文件：1.54981 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLC	文件：225.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=4.5A) DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargePowerHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalHEXFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GLC	文件：1.66555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLC	文件：958.66 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLCPBF	文件：1.66555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLCPBF	文件：1.033819 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargeHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHEXFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Thesedeviceim	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GLCPBF	文件：958.66 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GPBF	文件：1.30688 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GPBF	文件：2.81499 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s,f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GPBF	文件：2.39062 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFI840GPBF	文件：1.54981 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS840	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS840	文件：839.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
IRFS840	文件：271.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS840A	文件：264.57 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=500V RDS(on)=0.85? ID=4.6A FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=500V LowerRDS(ON):0.638W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS840A	文件：59.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS840B	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFI840BTU
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市正邁科技有限公司	IRFI840BTU	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	73732	原裝進(jìn)口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價
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更多IRFI840BTU供應(yīng)商更新時間2025-1-11 15:14:00

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