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IRFR13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A) Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR13N20DTRPBF	文件：1.77733 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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IRFU13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
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IRFU13N20D	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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