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IRFZ44ES

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFZ44ES

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFZ44ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFZ44ESPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFZ44ESPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFZ44ESTRLPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFZ44ESL

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFZ44ESPBF

Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRFZ44ESPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFZ44ESPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFZ44ES

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO263
8653
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IR
12+
TO-263
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
 詢價
IR
24+
原廠封裝
513
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
24+
D2-Pak
8866
詢價
IR
24+
原裝
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
22+23+
SOT263
18972
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
IR
21+
TO-263
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
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IR
19+
TO-263
32000
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
更多IRFZ44ES供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 14:03:00

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