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IRL2910L	文件：344.25 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910L	文件：300.69 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL2910PBF	文件：1.54583 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.026廓,ID=55A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910PBF	文件：1.54679 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910PBF	文件：981.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRL2910S	文件：344.25 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910S	文件：189.29 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL2910SPBF	文件：689.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910SPBF	文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2910	文件：143.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2910	文件：300.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI2910PBF	文件：366.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2910PBF	文件：601.39 Kbytes Page：9 Pages	Logic??evelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRLI2910PBF	文件：375.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
JEPMC-PL2910	文件：709.42 Kbytes Page：11 Pages	ImproveEquipmentDesignEfficiencyandShortenTactTime	OMRONOmron Electronics LLC 歐姆龍歐姆龍株式會社	OMRON
KUS2910	文件：91.7 Kbytes Page：4 Pages	Availableasabroadrangeofresistancesandmaterialsystems	AMPHENOLAmphenol Corporation 安費諾集團美國安費諾集團	AMPHENOL
LTC2910	文件：225.83 Kbytes Page：16 Pages	OctalPositive/NegativeVoltageMonitor	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2910	文件：173.14 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageSupervisorwith27SelectableThresholdsandWatchdogTimer	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2910	文件：248.71 Kbytes Page：16 Pages	36VNano-CurrentTwoInputVoltageMonitor	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2910	文件：531.36 Kbytes Page：16 Pages	OctalPositive/NegativeVoltageMonitor	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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詳細參數(shù)

型號：
IRL2910L
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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