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IRL530PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530STRRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLI530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI530G

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530G

Logic-LevelGateDrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530GPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI530NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRLS530

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLS530A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLS530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLW530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRL530NSTRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-263
501484
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
23+
SOT-263
5000
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
NA
19+
75189
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
IR
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineon Technologies
21+
D2PAK
800
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
 詢價
IR
2023+
SOT-263
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
IR
22+
TO263
6521
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
IR/VISHAY
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
INFINEON
1503+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
更多IRL530NSTRL供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 17:06:00

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