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IRLR110TR	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRLR110TRLPBF	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR110TRLPBF	文件：1.31466 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRLRU110A	文件：256.04 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLU110	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLU110	文件：2.1453 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLU110	文件：1.31466 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLU110A	文件：272.03 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.44? ID=4.7A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.336?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLU110A	文件：344.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLU110ATU	文件：246.23 Kbytes Page：9 Pages	AvalancheRuggedTechnology BVDSS=100V RDS(on)=0.44? ID=4.7A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.336?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLU110PBF	文件：1.15599 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLU110PBF	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLU110PBF	文件：1.01342 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLU110PBF	文件：1.31466 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
ISCRF110P	文件：305.04 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
ISM110	文件：288.04 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountDevices	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
ISML110	文件：405.81 Kbytes Page：2 Pages	Smallsizeof0805Lowrisistance	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

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詳細參數(shù)

型號：
IRLR110T
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRLR110T供應(yīng)商更新時間2025-1-5 16:30:00

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