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IXFK160N30T

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=160A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK160N30T

GigaMOS Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN160N30T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFX160N30T

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=160A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFX160N30T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXFK160N30T

  • 功能描述:

    MOSFET 160A 300V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IXFK160N30T供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 14:13:00