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K4H511638B-UCSLASHLCC

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Differentialcl

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三星三星半導體

K4H511638B-ZC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638B-ZCSLASHLCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-UC

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-UCCC

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-ULCC

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-Z

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-ZCCC

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638C-ZLCC

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

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三星三星半導體

K4H511638D

512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)

KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif

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三星三星半導體

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更多K4H511638B-UCSLASHLCC供應商 更新時間2025-2-25 18:47:00