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K4H511638F-LC/LCC	文件：367.25 Kbytes Page：24 Pages	512Mb F-die DDR SDRAM Specification ConsumerMemory	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638B-G	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638B-GC/LCC	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638B-TC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Differentialcl	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638B-UC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Differentialcl	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638B-ZC/LCC	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-UC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-UCCC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-ULCC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-Z	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-ZCCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638C-ZLCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDRSDRAMProductGuide ConsumerMemory	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D-LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D-UC/LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D-UC/LCC	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
K4H511638D-UCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung

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